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為了消除奧氏體不銹鋼的晶間腐蝕采取的措施有？
為了避開晶間腐蝕，可采用小的焊接電流，大的焊接速度，短弧焊；焊條不作橫向擺動，多層多道焊時，待先焊一層完全冷卻下來后再焊下一道。甚至用冷水澆等措施來加速焊縫的冷卻，以減少在上述溫度區的停留時間。與腐蝕介質接觸的一面焊縫應該盡可能更后焊接，使它遠離熱循環作用。還有就是選用低碳焊材，比如焊304的時候用308L，那個L就代表低碳。
希望我的回答對你有用，如果滿意請采納~
奧氏體不銹鋼壓力容器晶間腐蝕的原因是什么
不銹鋼主要的原因
有一些
下面不是全部
使用溫度過高
在500-800度之間為不銹鋼的敏化范圍
容易發生晶間腐蝕.
另外在一些腐蝕介質的影響下
沿焊縫線
熱影響區容易產生晶間腐蝕。主要原因是在不同條件下
C和Cr的形成化合物
破壞了不銹鋼的耐腐蝕性
為什么經受焊接的奧氏體不銹鋼有晶間腐蝕,而不焊接的不銹鋼
自上世紀二十年代工業界采用奧氏體不銹鋼以來，發現這類鋼焊接后，溫度為450℃～800℃的熱影響區在許多介質中產生晶間腐蝕。這些介質主要是熱的濃度為50%～65%的硝酸，含銅鹽和氧化鐵的硫酸溶液、熱有機酸等。后來發現這類鋼在450℃～800℃工作，或在該溫度下進行時效處理（或保溫或緩慢冷卻）時，也會得到由于焊接加熱的同樣效果。這種時效處理會導致不銹鋼晶間腐蝕的敏感性，所以又稱敏化處理。而把容易引起晶間腐蝕的溫度區間450℃～800℃稱為敏化溫度。
近年來的研究證明，這種腐蝕形式不僅在鉻鋼、鉻鎳鋼中存在，而且在鎳、銅、鋁基合金中也存在。晶間腐蝕產生的原因是晶界和晶內的化學成分不均勻性。
在不銹鋼和鎳基合金中，晶間腐蝕的機制可以分為三種基本類型：一是腐蝕與保證材料在該介質中耐蝕的元素沿晶界區貧化有關；二是腐蝕與沿晶界析出物的化學穩定性有關；三是腐蝕由降低基體耐蝕性的表面活性元素沿晶界偏析所引起。
奧氏體不銹鋼晶間腐蝕主要是在敏化溫度區間內容易導致沿晶界析出連續網狀富鉻的(Cr,Fe)23C6。從而使晶界周圍基體產生貧鉻區，貧鉻區的寬度約為10-5cm。在析出(Cr,Fe)23C6時間不太長的時間內，由于鉻的擴散速度較慢，貧鉻區得不到恢復。貧鉻區的產生使得晶界附近的鉻含量被降低到n/8量限度以下，因而貧鉻區成為微陽極而發生腐蝕。若在敏化溫度范圍內長期加熱，則可通過鉻的擴散消除貧鉻區，晶間腐蝕傾向可以被消除。
奧氏體不銹鋼晶間腐蝕
您好，造成腐蝕的過程應該是：1 會導致晶間腐蝕的材料（a、 高C b 、不含鈦、鈮）2 存在450~850℃的長時間停留，比如焊接 3 介質刺激貧鉻區
304耐腐蝕不算好，特別是氯離子中是事故率更高的材料。
焊接中采用小線能量焊接。為了避開晶間腐蝕，可采用小的焊接電流，大的焊接速度，短弧焊；焊條不作橫向擺動，多層多道焊時，待先焊一層完全冷卻下來后再焊下一道。甚至用冷水澆等措施來加速焊縫的冷卻，以減少在上述溫度區的停留時間。與腐蝕介質接觸的一面焊縫應該盡可能更后焊接，使它遠離熱循環作用。
請用貧鉻理論解釋奧氏體不銹鋼發生晶間腐蝕的機理
晶間腐蝕可以由于敏化處理或磷，硅在晶粒邊界的偏聚造成的。
你說的情況應該是將奧氏體不銹鋼又重新加熱到敏化溫度（450℃～850℃），原來敏化生成的不穩定碳化物cr23c6又分解，融入到奧氏體中。
1.
固溶處理：將奧氏體不銹鋼加熱到一定溫度（通常為1020℃～1100℃），保溫一定時間后，待奧氏體不銹鋼中的金屬間相、碳化物全部溶入鋼中時，快速冷卻至室溫。這一熱處理工藝稱之為固溶處理（其實相當于奧氏體不銹鋼的淬火處理，只不過奧氏體不銹鋼的淬火處理不能提高自身強度、硬度而已）。經過固溶處理后，其組織為單一的奧氏體不銹鋼，不含金屬間相、碳化物（cr23c6等），因此其抗晶間腐蝕性能得到很大的提高。
2.
敏化處理：奧氏體不銹鋼從高溫快速冷卻至室溫后，碳以過飽和的形式固溶在奧氏體不銹鋼中。但是在適當溫度加熱（450℃～850℃）或者經過焊接后，碳就會以cr23c6的形式在奧氏體不銹鋼的晶界沉淀出來。cr23c6的cr含量很高，因而晶界附近的cr大部分被集中到cr23c6中，由于cr的原子半徑大，擴散速度慢，來不及從基體向晶界補充cr。因而造成晶界貧cr（一般指低于12％時），從而造成晶間腐蝕。這也是敏化處理的原理。
3.
穩定化處理：穩定化處理通常為固溶處理的后續處理工藝。一般針對含ti、nb的鋼種。將這種鋼再加熱到850℃～900℃保溫一定時間，在該溫度下cr23c6幾乎全部溶解，而tic、nbc只是部分溶解。而后緩冷，在冷卻過程中鋼中的c充分地ti、nb等結合，而析出tic、nbc，而不析出cr23c6。從而提高抗晶間腐蝕性能。
（850℃～900℃的選擇原則：這一溫度范圍在cr23c6的溶解溫度之上，tic、nbc的溶解溫度之下。在進行固溶處理之后，如果奧氏體不銹鋼鋼中的cr、ti、nb等都固溶在不銹鋼中，如果不進行穩定化處理，在敏化溫度區間，cr23c6依然會優先沉淀出來。這就是穩定化處理的必要性。）
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